粗糙度測(cè)量設(shè)備

簡(jiǎn)要描述：Bump是一種金屬凸點(diǎn)，從倒裝焊FlipChip出現(xiàn)就開始普遍應(yīng)用，Bump的形狀有多種，最常見的為球狀和柱狀，也有塊狀等其他形狀，下圖所示為各種類型的Bump。粗糙度測(cè)量設(shè)備

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更新時(shí)間：2024-08-11
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粗糙度測(cè)量設(shè)備應(yīng)用

在半導(dǎo)體行業(yè)中，Bump、RDL、TSV、Wafer合稱先進(jìn)封裝的四要素，其中Bump起著界面互聯(lián)和應(yīng)力緩沖的作用。

Bump是一種金屬凸點(diǎn)，從倒裝焊FlipChip出現(xiàn)就開始普遍應(yīng)用，Bump的形狀有多種，最常見的為球狀和柱狀，也有塊狀等其他形狀，下圖所示為各種類型的Bump。

Bump起著界面之間的電氣互聯(lián)和應(yīng)力緩沖的作用，從Bondwire工藝發(fā)展到FlipChip工藝的過程中，Bump起到了至關(guān)重要的作用。隨著工藝技術(shù)的發(fā)展，Bump的尺寸也變得越來越小,從最初 Standard FlipChip的100um發(fā)展到現(xiàn)在最小的5um。

伴隨著工藝技術(shù)的高速發(fā)展，對(duì)于Bump的量測(cè)要求也不斷提高，需要把控長(zhǎng)寬尺寸，高度均勻性，亞納米級(jí)粗糙度、三維形貌等指標(biāo)。

以粗糙度指標(biāo)為例，電鍍工藝后的Cu 凸點(diǎn)表面粗糙并存在一定的高度差，所以鍵合前需要對(duì)其表面進(jìn)行平坦化處理，如化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)，使得鍵合時(shí)Cu 表面能夠充分接觸，實(shí)現(xiàn)原子擴(kuò)散，由此可見把控Bump表面粗糙度是必*過程。

為了貼合工藝制程，積極響應(yīng)客戶Bump 計(jì)量需求，中圖儀器以高精度、多功能合一等優(yōu)勢(shì)將自研量測(cè)設(shè)備推向眾多優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體客戶。BOKI_1000系統(tǒng)支持鍵合、減薄、翹曲和切割后的基板，可以為包括切割后、預(yù)鍵合、銅焊盤圖案化、銅柱、凸塊（Bump）、硅通孔（TSV）和再分布層（RDL）在內(nèi)的特征提供優(yōu)異的量測(cè)能力。

以上為量測(cè)Bump時(shí)的實(shí)時(shí)圖像

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